SCHOTTKY DRAIN MICROWAVE GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：3

作者：

MEIGNANT, D

BOCCONGIBOD, D

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1981年 / 17卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810076

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：107 / 108

页数：2

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共 2 条

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