ESTIMATION OF IMPURITY PROFILES IN ION-IMPLANTED AMORPHOUS TARGETS USING JOINED HALF-GAUSSIAN DISTRIBUTIONS

被引：136

作者：

GIBBONS, JF ^{[1
]}

MYLROIE, S ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD ELECT LAB,STANFORD,CA 94305

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1973年 / 22卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1654511

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：568 / 569

页数：2

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共 2 条

[1] INFLUENCE OF AMORPHOUS PHASE ON ION DISTRIBUTIONS AND ANNEALING BEHAVIOR OF GROUP III AND GROUP V IONS IMPLANTED INTO SILICON [J].

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