SWITCHING EFFECT WITH MEMORY IN GA2TE3 SINGLE-CRYSTALS

被引：0
作者：
ALIEV, SI
NIFTIEV, GM
PLIEV, FI
TAGIEV, BG
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1979年 / 13卷 / 03期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
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页码：340 / 342
页数：3
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[1]  
KOLOMIETS BT, 1969, SOV PHYS SEMICOND+, V3, P267
[2]  
SALAEV EY, 1973, PHYS STATUS SOLIDI A, V16, pK143, DOI 10.1002/pssa.2210160252
[3]   NEW CONDUCTION AND REVERSIBLE MEMORY PHENOMENA IN THIN INSULATING FILMS [J].
SIMMONS, JG ;
VERDERBER, RR .
PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY OF LONDON SERIES A-MATHEMATICAL AND PHYSICAL SCIENCES, 1967, 301 (1464) :77-+
[4]   CURRENT TRANSPORT AND MAXIMUM DIELECTRIC STRENGTH OF SILICON NITRIDE FILMS [J].
SZE, SM .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1967, 38 (07) :2951-+
[5]  
TAGIEV BG, 1975, DOKL AKAD NAUK AZ SS, V31, P27
[6]  
TAGIEV BG, 1977, SOME TOPICS EXPT THE
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