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QUASI-STATIC RESPONSE OF AN MOS SYSTEM TO A CONSTANT GATE-CURRENT BIAS
被引:0
作者
:
ALLMAN, PGC
论文数:
0
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0
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0
机构:
LEHIGH UNIV,SHERMAN FAIRCHILD LAB,BETHLEHEM,PA 18015
LEHIGH UNIV,SHERMAN FAIRCHILD LAB,BETHLEHEM,PA 18015
ALLMAN, PGC
[
1
]
SIMMONS, JG
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机构:
LEHIGH UNIV,SHERMAN FAIRCHILD LAB,BETHLEHEM,PA 18015
LEHIGH UNIV,SHERMAN FAIRCHILD LAB,BETHLEHEM,PA 18015
SIMMONS, JG
[
1
]
机构
:
[1]
LEHIGH UNIV,SHERMAN FAIRCHILD LAB,BETHLEHEM,PA 18015
来源
:
ELECTRON DEVICE LETTERS
|
1981年
/ 2卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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相关论文
共 3 条
[1]
ALLMAN PGC, 1980, 1 IEEE P SOL STAT EL, V127, P140
[2]
FARAONE L, 1979, 1 IEEE P SOL STAT EL, V126, P121
[3]
A QUASI-STATIC TECHNIQUE FOR MOS C-V AND SURFACE STATE MEASUREMENTS
KUHN, M
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KUHN, M
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1970,
13
(06)
: 873
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共 3 条
[1]
ALLMAN PGC, 1980, 1 IEEE P SOL STAT EL, V127, P140
[2]
FARAONE L, 1979, 1 IEEE P SOL STAT EL, V126, P121
[3]
A QUASI-STATIC TECHNIQUE FOR MOS C-V AND SURFACE STATE MEASUREMENTS
KUHN, M
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0
引用数:
0
h-index:
0
KUHN, M
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1970,
13
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