PROCESS DEPENDENCE OF HOLE TRAPPING IN NITRIDED SIO2-FILMS

被引：0

作者：

SEVERI, M

IMPRONTA, M

DORI, L

GUERRI, S

机构：

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE | 1988年 / 49卷 / C-4期

关键词：

D O I：

10.1051/jphyscol:1988488

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[11] EFFECTS OF THERMAL NITRIDATION ON THE TRAPPING CHARACTERISTICS OF SIO2-FILMS [J].

YANKOVA, A ;

THANH, LD ;

BALK, P .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1987, 30 (09) :939-946