MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF THE II-V SEMICONDUCTOR COMPOUND ZN3AS2

被引：30
作者：
CHELLURI, B
CHANG, TY
OURMAZD, A
DAYEM, AH
ZYSKIND, JL
SRIVASTAVA, A
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1986年 / 49卷 / 24期
关键词：
D O I：
10.1063/1.97261
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：1665 / 1667
页数：3
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共 6 条
[1]   THERMOREFLECTANCE OF CD3-XZNXAS2 ALLOYS [J].
AUBIN, MJ ;
CLOUTIER, JP .
CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS, 1975, 53 (17) :1642-1645
[2]   ELECTRON-MOBILITY IN CD3-XZNXAS2 ALLOYS [J].
CARON, LG ;
AUBIN, MJ ;
JAYGERIN, JP .
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1977, 23 (07) :493-498
[3]  
Izotov A. D., 1978, Soviet Physics - Crystallography, V23, P429
[4]   ENERGY-BAND STRUCTURES OF CD3AS2 AND ZN3AS2 [J].
LINCHUNG, PJ .
PHYSICAL REVIEW, 1969, 188 (03) :1272-&
[5]   OPTICAL BAND-GAP OF ZN3AS2 [J].
MISIEWICZ, J ;
PAWLIKOWSKI, JM .
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1979, 32 (08) :687-690
[6]  
WAGNER RJ, 1971, J PHYS CHEM SOLID S1, V32, P471
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