INTERFACE STATES IN MOS-TRANSISTORS

被引：0

作者：

BALDINGE.E

SEQUIN, C

机构：

[1] Institut für angewandte Physik der Universität Basel, Basel

来源：

ZEITSCHRIFT FUR ANGEWANDTE MATHEMATIK UND PHYSIK | 1969年 / 20卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1007/BF01595073

中图分类号：

O29 [应用数学];

学科分类号：

070104 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

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