ON THE MODIFICATION OF THE EINSTEIN RELATION FOR HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS HAVING GAUSSIAN BAND TAILS

被引:8
作者
GHATAK, KP
CHOWDHURY, AK
GHOSH, S
CHAKRAVARTI, AN
机构
来源
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH | 1980年 / 99卷 / 01期
关键词
D O I
10.1002/pssb.2220990158
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
引用
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页码:K55 / K60
页数:6
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