HIGH-RESISTIVITY SILICON FOR DETECTOR APPLICATIONS

被引：16
作者：
DREIER, P
机构：
[1] Wacker Chemitronic GmbH, D 8263 Burghausen
来源：
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT | 1990年 / 288卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1016/0168-9002(90)90499-V
中图分类号：
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号：
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要：
After a short introduction to the production method for high resistivity silicon, important material parameters as lifetime and resistivity distribution are discussed. © 1990.
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页数：6
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