CONCENTRATION DEPENDENT DIFFUSION OF ARSENIC IN SILICON

被引：27
作者：
KENNEDY, DP
MURLEY, PC
机构：
来源：
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS | 1971年 / 59卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1109/PROC.1971.8172
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：335 / +
页数：1
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共 6 条
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