ORGANIC-COMPOUNDS INDUCING THE ROOM-TEMPERATURE INSTABILITIES OF P-CHANNEL SILICON GATE MOS-TRANSISTORS

被引：2

作者：

NAKAYAMA, H

SHINDO, M

ISHIKAWA, T

机构：

[1] Mitsubishi Electric Corporation, Hyogo 664, Kita-Itami Works

来源：

关键词：

alcohol; instability; ketone; silicon gate MOS;

D O I：

10.1149/1.2129262

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：1301 / 1303

页数：3

共 5 条

[1]

FAGGIN F, 1970, 8TH P ANN REL PHYS C

NAKAYAMA, H ;

OSADA, Y ;

SHINDO, M .

[3] DEFECT STRUCTURE OF GROWN SILICON DIOXIDE FILMS [J].

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