EFFECT OF NITROGEN DOPING ON GAAS 1-XPX ELECTROLUMINESCENT DIODES

被引：105

作者：

GROVES, WO

HERZOG, AH

CRAFORD, MG

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1971年 / 19卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1653876

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：184 / &

相关论文

共 4 条

[1] [Anonymous], 1970, J LUMIN, DOI DOI 10.1016/0022-2313(70)90054-2
[2] NITROGEN ISOELECTRONIC TRAP IN PHOSPHORUS-RICH GALLIUM ARSENIDE PHOSPHIDE
DEAN, PJ
FAULKNER, RA
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1969, 14 (07) : 210 - &
[3] ELECTROLUMINESCENCE OF DIFFUSED GAAS1-XPX DIODES WITH LOW DONOR CONCENTRATIONS
HERZOG, AH
GROVES, WO
CRAFORD, MG
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1969, 40 (04) : 1830 - &
[4] EFFICIENT GREEN ELECTROLUMINESCENT JUNCTIONS IN GAP
LOGAN, RA
WHITE, HG
WIEGMANN, W
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1971, 14 (01) : 55 - &