INTERFACE STATES OF MOS DIODES WITH THIN SIO2 FILMS

被引：3

作者：

KATSUBE, T ^{[1
]}

ADACHI, Y ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TOKYO,INST IND SCI,MINATO,TOKYO,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1973年 / 12卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.12.320

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：320 / 321

页数：2

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