RELATION BETWEEN ELECTRON LOCALIZATION PROPERTIES AND INFRARED QUENCHING OF PHOTOCONDUCTIVITY IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON

被引：1
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作者：
QIU, CH
HAN, DX
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW B | 1988年 / 37卷 / 18期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRevB.37.10912
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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页码：10912 / 10914
页数：3
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