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GALLIUM-ARSENIDE METAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR RELIABILITY STUDY
被引：0
作者：
MEIGNANT, D
机构：
来源：
ACTA ELECTRONICA
|
1980年
/
23卷
/
02期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：151 / 164
页数：14
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