HIGH OXYGEN CZOCHRALSKI SILICON CRYSTAL-GROWTH RELATIONSHIP TO EPITAXIAL STACKING-FAULTS

被引：36

作者：

KATZ, LE

HILL, DW

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2131639

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1151 / 1155

页数：5

共 15 条

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