EFFECT OF CRYSTAL ORIENTATION ON OXIDATION RATES OF SILICON IN HIGH PRESSURE STEAM

被引：130

作者：

LIGENZA, JR

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1021/j100828a020

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：2011 / &

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共 3 条

[1] THE MECHANISMS FOR SILICON OXIDATION IN STEAM AND OXYGEN [J].

LIGENZA, JR ;

SPITZER, WG .

[2]

LIGENZA JR, J ELECTROCHEM SOC

[3] OXYGEN EXCHANGE BETWEEN SILICA AND HIGH PRESSURE STEAM [J].

SPITZER, WG ;

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