首页
学术期刊
论文检测
AIGC检测
热点
更多
数据
TRANSISTOR-LIKE DEVICE USING OPTICAL COUPLING BETWEEN DIFFUSED P-N JUNCTIONS IN GAAS
被引:29
作者
:
RUTZ, RF
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
RUTZ, RF
机构
:
来源
:
PROCEEDINGS OF THE IEEE
|
1963年
/ 51卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
10.1109/PROC.1963.1854
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:470 / &
相关论文
共 2 条
[1]
KEYES RJ, 1962, P IRE, V50, P1822
[2]
RECOMBINATION RADIATION IN GAAS BY OPTICAL AND ELECTRICAL INJECTION
[J].
NATHAN, MI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
NATHAN, MI
;
BURNS, G
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
BURNS, G
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1962,
1
(04)
:89
-90
←
1
→
共 2 条
[1]
KEYES RJ, 1962, P IRE, V50, P1822
[2]
RECOMBINATION RADIATION IN GAAS BY OPTICAL AND ELECTRICAL INJECTION
[J].
NATHAN, MI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
NATHAN, MI
;
BURNS, G
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
BURNS, G
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1962,
1
(04)
:89
-90
←
1
→