共 1 条
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PEARSON GL, 1949, PHYS REV, V75, P965
P-TYPE AND N-TYPE SILICON AND THE FORMATION OF THE PHOTOVOLTAIC BARRIER IN SILICON INGOTS
被引：0
作者：
ELLIS, WC
SCAFF, JH
ROBERTSON, WD
STAUSS, HE
BLOOM, MC
机构：
来源：
JOURNAL OF METALS
|
1950年
/
2卷
/
08期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TF [冶金工业];
学科分类号：
0806 ;
摘要：
引用
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