SILICON CARBIDE OF 594 LAYERS

被引：33

作者：

HONJO, G

MIYAKE, S

TOMITA, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1107/S0365110X50001105

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：396 / &

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共 3 条

[1] ON THE ANOMALOUS STRUCTURES OF SILICON CARBIDE [J].

HONJO, G .

JAGODZINSKI, H .

[3]

ZHUDANOV GS, 1949, J EXP THEOR PHYS, V17, P3