COMPOSITIONAL HOMOGENEITY OF MOVPE-GROWN INGAAS - DEPENDENCE ON REACTOR WALL TEMPERATURE AND WORKING PRESSURE

被引：2

作者：

HASPEKLO, H

BUTTNER, U

SASSE, E

KONIG, U

机构：

[1] AEG Research Center, Sedanstrasse 10, D-7900 Ulm, Germany

来源：

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1987年 / 84卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(87)90130-8

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

6

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页码：196 / 198

页数：3

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