SHORT-TERM ANNEALING IN SILICON DEVICES FOLLOWING PULSED 14-MEV NEUTRON-IRRADIATION

被引：20
|
作者：
SROUR, JR [1 ]
CURTIS, OL [1 ]
机构：
[1] NORTHROP CORP LABS, HOWTHORNE, CA 90250 USA
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1972年 / NS19卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1109/TNS.1972.4326859
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：362 / 370
页数：9
相关论文
共 50 条
12345