ELECTRICAL-PROPERTIES OF GE-IMPLANTED GAAS

被引：0

作者：

YEO, YK

EHRET, JE

PEDROTTI, FL

PARK, YS

THEIS, WM

机构：

[1] SYST RES LAB INC,DAYTON,OH

[2] MARQUETTE UNIV,MILWAUKEE,WI 53233

[3] USAF,AVION LAB,WRIGHT PATTERSON AFB,OH 45433

来源：

BULLETIN OF THE AMERICAN PHYSICAL SOCIETY | 1979年 / 24卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：314 / 314

页数：1