FORMATION OF SILICON AND TITANIUM CARBIDES BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

被引：31

作者：

PEARCE, ML

MAREK, RW

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1111/j.1151-2916.1968.tb11842.x

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：84 / &

共 16 条

[1]

ELYUTIN VP, 1964, IZV VYSSHIKH UCHEBN, V7, P124

[2]

ELYUTIN VP, 1963, IZV VYSSHIKH UCHEBN, V6, P5

[3] ELECTRONIC CONDUCTION IN SILICON CARBIDE [J].

KENDALL, JT .

[4]

KENDALL JT, 1947, P 11 INT C PUR APPL, V1, P171

[5]

KUBASCHEWSKI O, 1958, METALLURGICAL THERMO, V1

[6]

MAREK RW, 1967, ELECTROCHEM TECHNOL, V5, P185

[7]

MCQUILLAN AD, 1956, TITANIUM

[8]

MEYERSON GA, 1964, RUSS MET MINING, P31

[9]

OCONNOR JR, 1959, APR P C SIL CARB ED

[10] VAPOUR PRESSURE OF TITANIUM TETRACHLORIDE [J].

PEARCE, ML ;

MCCABE, NR .

JOURNAL OF INORGANIC & NUCLEAR CHEMISTRY, 1965, 27 (08) :1876-&