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C2L - NEW HIGH-SPEED HIGH-DENSITY BULK CMOS TECHNOLOGY
被引:13
作者
:
DINGWALL, AGF
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
RCA CORP,CTR SOLID STATE TECHNOL,SOMERVILLE,NJ 08876
RCA CORP,CTR SOLID STATE TECHNOL,SOMERVILLE,NJ 08876
DINGWALL, AGF
[
1
]
STRICKER, RE
论文数:
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机构:
RCA CORP,CTR SOLID STATE TECHNOL,SOMERVILLE,NJ 08876
RCA CORP,CTR SOLID STATE TECHNOL,SOMERVILLE,NJ 08876
STRICKER, RE
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1
]
机构
:
[1]
RCA CORP,CTR SOLID STATE TECHNOL,SOMERVILLE,NJ 08876
来源
:
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS
|
1977年
/ 12卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1109/JSSC.1977.1050912
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:344 / 349
页数:6
相关论文
共 6 条
[1]
DAWSON RH, 1971, DAAB0768C0252
[2]
DINGWALL AGF, 1977, ISSCC DIG TECH PAPER
[3]
FERYSZKA R, 1976, DAAB0776C1317 US ARM
[4]
STEWART R, 1977, ISSCC DIG TECH PAPER
[5]
SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO
[6]
1975, 34000 ISOPLANAR CMOS
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共 6 条
[1]
DAWSON RH, 1971, DAAB0768C0252
[2]
DINGWALL AGF, 1977, ISSCC DIG TECH PAPER
[3]
FERYSZKA R, 1976, DAAB0776C1317 US ARM
[4]
STEWART R, 1977, ISSCC DIG TECH PAPER
[5]
SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO
[6]
1975, 34000 ISOPLANAR CMOS
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