TIN DOPING OF GALLIUM-ARSENIDE DURING VAPOR-PHASE EPITAXY

被引：0

作者：

BOBROVNIKOVA, IA

VILISOVA, MD

POROKHOVNICHENKO, LP

RUZAIKIN, MP

RYAZANOV, VN

机构：

来源：

IZVESTIYA VYSSHIKH UCHEBNYKH ZAVEDENII FIZIKA | 1990年 / 33卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：37 / 40

页数：4

共 9 条

[1]

BOBROVNIKOVA IA, 1989, IZV VUZOV F, P54

[2]

BUYANOVA IY, 1985, FIZ TVERD TELA+, V27, P748

[3]

CHERNOV AA, 1980, ROST KRIST, V13, P20

[4]

GEORGOBIANI AN, 1985, IZV AN SSSR FIZ+, V49, P1899

[5]

Glinchuk K. D., 1982, Optoelektronika i Poluprovodnikovaya Tekhnika, P39

[6]

KUZNETSOV FA, 1975, IZV SIB OTD AN KHIM, P5

[7] PROPERTIES OF SN-DOPED GAAS [J].

NISHIZAW.J ;

SHINOZAK.S ;

ISHIDA, K .

[8] SYSTEM GA-AS-SN - INCORPORATION OF SN INTO GAAS [J].

PANISH, MB .

[9]

RUZAIKIN MP, 1986, 3 VSES K TERM MAT PO, V2, P233