HIGH-FREQUENCY POWER MOSFETS FABRICATED USING SELECTIVELY DEPOSITED LPCVD TUNGSTEN

被引：3
作者：
SHENAI, K
机构：
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 1989年 / 25卷 / 16期
关键词：
D O I：
10.1049/el:19890690
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：1033 / 1034
页数：2
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