STOICHIOMETRIC EFFECTS IN GROWTH OF DOPED EPITAXIAL LAYERS OF GAAS1-XPX

被引：24
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作者：
STEWART, CEE
机构：
来源：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1971年 / 8卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1016/0022-0248(71)90067-4
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要：
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页码：259 / &
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