RADIATION DEFECT-GENERATION IN SI UNDER HEAT-TREATMENT AT 1050-DEGREES-C

被引：0

作者：

KRAICHINSKY, AN ^{[1
]}

NEIMASH, VB ^{[1
]}

SAGAN, TR ^{[1
]}

SIRATSKY, VM ^{[1
]}

TSMOTS, VM ^{[1
]}

SHAKHOVTSOV, VI ^{[1
]}

SHINDICH, VL ^{[1
]}

机构：

[1] ACAD SCI UKSSR,INST PHYS,KIEV,UKRAINE,USSR

来源：

UKRAINSKII FIZICHESKII ZHURNAL | 1989年 / 34卷 / 07期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1071 / 1074

页数：4

共 5 条