DOSE DEPENDENCE OF RESIDUAL LATTICE DISORDER IN ION-IMPLANTED AND ANNEALED SILICON

被引：12

作者：

CHRISTODOULIDES, CE ^{[1
]}

GRANT, WA ^{[1
]}

WILLIAMS, JS ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SALFORD,DEPT ELECT ENGN,SALFORD M5 4WT,LANCASHIRE,ENGLAND

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1977年 / 30卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1063/1.89408

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：322 / 323

页数：2

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共 7 条

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