CHARACTERIZATION OF BF2+ AND B+ IMPLANTED SILICON AFTER RAPID THERMAL ANNEALING

被引：4
作者：
LI, YH
POGANY, AP
HARRISON, HB
WILLIAMS, JS
机构：
来源：
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1987年 / 19-20卷
关键词：
D O I：
10.1016/S0168-583X(87)80104-0
中图分类号：
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号：
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要：
引用
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页码：521 / 525
页数：5
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