PREPARATION AND PROPERTIES OF ALUMINUM ANTIMONIDE

被引：31

作者：

HERCZOG, A

HABERECHT, RR

MIDDLETON, AE

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2428915

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：533 / 540

页数：8

共 16 条

[1]

BLUNT RF, 1954, PHYS REV, V94, P1431

[2]

BURSTEIN E, 1955, PHYSICS SEMICONDUCTO, V7

[3]

DUNLAP WC, 1957, INTRO SEMICONDUCTORS

[4] HERSTELLUNG UND ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN VON INP UND GAAS [J].

FOLBERTH, OG ;

WEISS, H .

ZEITSCHRIFT FUR NATURFORSCHUNG PART A-ASTROPHYSIK PHYSIK UND PHYSIKALISCHE CHEMIE, 1955, 10 (08) :615-619

[5]

GOERING HA, AF336162338 CONTR

[6]

HALL RN, 1957, JUL SIC RECT SEM DEV

[7]

HODGKINSON RJ, 1956, J ELECT, V2, P201

[8]

HUNTER LP, 1956, HANDBOOK SEMICOND ED, P9

[9]

JENNY DA, 1957, JUN BIENN EL MAT C P

[10]

JENNY DA, 1957, JUL IRE DEV C BOULD