DOPING UNIFORMITY AND GEOMETRY OF LSA OSCILLATOR DIODES

被引：18
作者：
COPELAND, JA
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1967年 / ED14卷 / 09期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1967.15993
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：497 / +
页数：1
相关论文
共 7 条
[1]   CONSTRUCTION AND PERFORMANCE OF EPITAXIAL TRANSFERRED ELECTRON OSCILLATORS [J].
BOTT, IB ;
HILSUM, C ;
SMITH, KCH .
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1967, 10 (02) :137-&
[2]  
BRADY DP, 1966, P IEEE, V54, P1499
[3]   LSA OSCILLATOR-DIODE THEORY [J].
COPELAND, JA .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1967, 38 (08) :3096-+
[4]   CW OPERATION OF LSA OSCILLATOR DIODES - 44 TO 88 GHZ [J].
COPELAND, JA .
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1967, 46 (01) :284-+
[5]   THEORETICAL STUDY OF A GUNN DIODE IN A RESONANT CIRCUIT [J].
COPELAND, JA .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1967, ED14 (02) :55-+
[6]   LSA OPERATION OF LARGE VOLUME BULK GAAS SAMPLES [J].
KENNEDY, WK ;
EASTMAN, LF ;
GILBERT, RJ .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1967, ED14 (09) :500-+
[7]  
SKILLING HH, 1960, FUNDAMENTALS ELECTRI, P126
1