未找到相关数据
TEM STUDIES OF COLOR BANDS ON HIGH-DOSE, HIGH DOSE-RATE ION-IMPLANTED SILICON-WAFERS
被引：0
作者：
FLETCHER, J
BOOKER, GR
机构：
[1] OAK RIDGE NATL LAB,DIV SOLID STATE,OAK RIDGE,TN 37830
[2] DEPT MET & SCI MAT,OXFORD OX1 3PH,ENGLAND
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
收藏
页码：C389 / C389
页数：1
相关论文