DELTA-DOPED MESFET WITH MBE-GROWN SILICON

被引：0

作者：

ZEINDL, HP ^{[1
]}

BULLEMER, B ^{[1
]}

EISELE, I ^{[1
]}

TEMPEL, G ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV BUNDESWEHR MUNCHEN,FAK ELEKT TECH,INST PHYS,D-8014 NEUBIBERG,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：C546 / C546

页数：1