INSITU ANALYSIS OF ION IRRADIATION AND IMPLANTATION EFFECTS

被引：5

作者：

TAYLOR, A

机构：

[1] Materials Science Division, Argonne National Laboratory

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1979.4330373

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：1302 / 1304

页数：3

共 8 条

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