IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY OF GALLIUM-ARSENIDE WITH BUILT-IN ELECTRIC-FIELDS

被引：0

作者：

BASKIN, EM ^{[1
]}

LISENKER, BS ^{[1
]}

SHEGAI, AY ^{[1
]}

机构：

[1] NOVOSIBIRSK STATE UNIV,NOVOSIBIRSK,USSR

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1979年 / 13卷 / 01期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

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页码：56 / 59

页数：4

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共 7 条

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