IONISED IMPURITY SCATTERING IN SILICON SURFACE CHANNELS

被引：20
作者：
BERZ, F
机构：
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1970年 / 13卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(70)90075-4
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：903 / &
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