LOW-TEMPERATURE GROWTH PROCESSES FOR SIOXNY LAYERS

被引：0

作者：

SCHMIDT, WA ^{[1
]}

ANDERSON, GW ^{[1
]}

机构：

[1] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1977年 / 124卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C310 / C310

页数：1

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