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LIFETIME DETERMINATION IN P/N JUNCTION DIODES AND SOLAR-CELLS FROM OPEN-CIRCUIT-VOLTAGE DECAY INCLUDING JUNCTION CAPACITANCE EFFECTS
被引:11
作者
:
LIOU, JJ
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0
LIOU, JJ
LINDHOLM, FA
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LINDHOLM, FA
机构
:
来源
:
SOLID-STATE ELECTRONICS
|
1987年
/ 30卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0038-1101(87)90176-6
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:457 / 462
页数:6
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[11]
DETERMINATION OF EFFECTIVE SURFACE RECOMBINATION VELOCITY AND MINORITY-CARRIER LIFETIME IN HIGH-EFFICIENCY SI SOLAR-CELLS
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WEAVER, HT
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WEAVER, HT
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1983,
54
(01)
:238
-247
[12]
ZONDERVAN A, COMMUNICATION
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[11]
DETERMINATION OF EFFECTIVE SURFACE RECOMBINATION VELOCITY AND MINORITY-CARRIER LIFETIME IN HIGH-EFFICIENCY SI SOLAR-CELLS
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