RAMAN-SCATTERING FROM BORON-IMPLANTED SILICON

被引：0

作者：

FORMAN, RA ^{[1
]}

MYERS, DR ^{[1
]}

BELL, MI ^{[1
]}

HOROWITZ, D ^{[1
]}

机构：

[1] NBS,WASHINGTON,DC 20234

来源：

BULLETIN OF THE AMERICAN PHYSICAL SOCIETY | 1981年 / 26卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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