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INFRARED ABSORPTION SPECTRUM OF SULFUR-DOPED SILICON
被引:41
作者
:
KRAG, WE
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0
KRAG, WE
ZEIGER, HJ
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ZEIGER, HJ
机构
:
来源
:
PHYSICAL REVIEW LETTERS
|
1962年
/ 8卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1103/PhysRevLett.8.485
中图分类号
:
O4 [物理学];
学科分类号
:
0702 ;
摘要
:
引用
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页码:485 / &
相关论文
共 3 条
[1]
SULFUR IN SILICON
CARLSON, RO
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CARLSON, RO
HALL, RN
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HALL, RN
PELL, EM
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PELL, EM
[J].
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS,
1959,
8
: 81
-
83
[2]
SHALLOW IMPURITY STATES IN SILICON AND GERMANIUM
KOHN, W
论文数:
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KOHN, W
[J].
SOLID STATE PHYSICS-ADVANCES IN RESEARCH AND APPLICATIONS,
1957,
5
: 257
-
320
[3]
ROTH LM, PRIVATE COMMUNICATIO
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共 3 条
[1]
SULFUR IN SILICON
CARLSON, RO
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CARLSON, RO
HALL, RN
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HALL, RN
PELL, EM
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PELL, EM
[J].
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS,
1959,
8
: 81
-
83
[2]
SHALLOW IMPURITY STATES IN SILICON AND GERMANIUM
KOHN, W
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KOHN, W
[J].
SOLID STATE PHYSICS-ADVANCES IN RESEARCH AND APPLICATIONS,
1957,
5
: 257
-
320
[3]
ROTH LM, PRIVATE COMMUNICATIO
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