IONIZATION ENHANCED MIGRATION OF THE ISOLATED VACANCY IN N-TYPE SILICON

被引：0

作者：

HARRIS, RD ^{[1
]}

WATKINS, GD ^{[1
]}

机构：

[1] LEHIGH UNIV,BETHLEHEM,PA 18015

来源：

BULLETIN OF THE AMERICAN PHYSICAL SOCIETY | 1979年 / 24卷 / 01期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：18 / 19

页数：2