ZINC-ENHANCED BERYLLIUM REDISTRIBUTION IN GAAS/GAALAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：22
作者：
HOUSTON, PA
SHEPHERD, FR
SPRINGTHORPE, AJ
MANDEVILLE, P
MARGITTAI, A
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 52卷 / 15期
关键词：
D O I：
10.1063/1.99163
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：1219 / 1221
页数：3
相关论文
共 5 条
[1]  
Casey H.C., 1973, ATOMIC DIFFUSION SEM, P351
[2]   ANOMALOUS REDISTRIBUTION OF BERYLLIUM IN GAAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY [J].
ENQUIST, P ;
WICKS, GW ;
EASTMAN, LF ;
HITZMAN, C .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1985, 58 (11) :4130-4134
[3]  
GEVA M, 1983, J APPL PHYS, V59, P2408
[4]   CONTROL OF BE DIFFUSION IN MOLECULAR-BEAM EPITAXY GAAS [J].
MILLER, JN ;
COLLINS, DM ;
MOLL, NJ .
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1985, 46 (10) :960-962
[5]  
SPRINGTHORPE AJ, 1982, I PHYS C SER, V65, P589
1