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THE SIO2/SI INTERFACE STRUCTURE AND ELECTRICAL-PROPERTIES OF ANODICALLY GROWN SILICON-OXIDE
被引：0
作者：
NOMURA, S
SHIBE, S
KITAMURA, N
NANJO, J
机构：
来源：
DENKI KAGAKU
|
1989年
/
57卷
/
01期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
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页码：47 / 54
页数：8
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