A HIGH-SPEED 1-KBIT HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR STATIC RAM

被引：1

作者：

SHENG, NH

WANG, HT

LEE, CP

SULLIVAN, GJ

MILLER, DL

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1987年 / 34卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23135

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1670 / 1675

页数：6

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共 2 条

[1]

KURODA S, 1984, P IEEE GAAS IC S BOS, P125

[2]

NISHIUCHI K, 1984, ISSCC, P48