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INVERSION OF (P-N)-JUNCTION REACTIVITY
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ABDULLAE.GB
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ABDULLAE.GB
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AKHUNDOV, MR
ALIKHANO.SA
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ALIKHANO.SA
机构
:
来源
:
DOKLADY AKADEMII NAUK SSSR
|
1971年
/ 200卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O [数理科学和化学];
P [天文学、地球科学];
Q [生物科学];
N [自然科学总论];
学科分类号
:
07 ;
0710 ;
09 ;
摘要
:
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相关论文
共 8 条
[1]
ABDULLAEV GB, 1971, 4 T VSES SOV FIZ YAV
[2]
ABDULLAEV GB, 1970, IZV AN AZERBSSR FTMN, P60
[3]
INVESTIGATION OF REACTIVE PROPERTIES OF DIFFUSED SI P-N JUNCTIONS IN REGION OF HIGH INJECTION LEVELS AND STRONG ELECTRIC FIELDS
ABDULLAY.GB
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1968,
11
(02)
: 233
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1961,
32
(07)
: 1338
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GALLIUM PHOSPHIDE ELECTROLUMINESCENCE
THOMAS, DG
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机构:
Bell Telephone Laboratories, Murray Hill, NJ
THOMAS, DG
[J].
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,
1969,
2
(05)
: 637
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共 8 条
[1]
ABDULLAEV GB, 1971, 4 T VSES SOV FIZ YAV
[2]
ABDULLAEV GB, 1970, IZV AN AZERBSSR FTMN, P60
[3]
INVESTIGATION OF REACTIVE PROPERTIES OF DIFFUSED SI P-N JUNCTIONS IN REGION OF HIGH INJECTION LEVELS AND STRONG ELECTRIC FIELDS
ABDULLAY.GB
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AKHUNDOV, MR
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1968,
11
(02)
: 233
-
&
[4]
BARANOV LI, 1960, RADIOTEKH ELEKTRON, V5, P1002
[5]
FERLE TE, 1959, IRE T ED, V7, P330
[6]
GALAVANOV VV, 1964, RADIOTEKH ELEKTRON, V10, P557
[7]
ELECTROLUMINESCENCE AT P-N JUNCTIONS IN GALLIUM PHOSPHIDE
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[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1961,
32
(07)
: 1338
-
&
[8]
GALLIUM PHOSPHIDE ELECTROLUMINESCENCE
THOMAS, DG
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机构:
Bell Telephone Laboratories, Murray Hill, NJ
THOMAS, DG
[J].
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,
1969,
2
(05)
: 637
-
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