A SCHOTTKY-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR MODEL FOR COMPUTER-AIDED-DESIGN OF VERY-HIGH-SPEED GAAS INTEGRATED-CIRCUITS

被引：0
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作者：
BUYANOV, NN
PASHINTSEV, YI
机构：
来源：
SOVIET MICROELECTRONICS | 1981年 / 10卷 / 04期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：165 / 169
页数：5
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