EPITAXIAL VAPOR GROWTH OF GAAS ON GE SINGLE CRYSTALS

被引：7

作者：

OKADA, T

SASAKI, Y

KANO, T

机构：

来源：

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN | 1961年 / 16卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.16.2591

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：2591 / &

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共 1 条

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JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1959, 106 (06) :509-511