CYCLOTRON RESONANCE OVER A WIDE TEMPERATURE RANGE .2. SILICON

被引：16
作者：
BAGGULEY, DM
STRADLING, RA
WHITING, JSS
机构：
来源：
PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY OF LONDON SERIES A-MATHEMATICAL AND PHYSICAL SCIENCES | 1961年 / 262卷 / 1310期
关键词：
D O I：
10.1098/rspa.1961.0124
中图分类号：
O [数理科学和化学]; P [天文学、地球科学]; Q [生物科学]; N [自然科学总论];
学科分类号：
07 ; 0710 ; 09 ;
摘要：
引用
收藏
页码：365 / +
相关论文
共 13 条
[11]   IMPURITY EFFECTS UPON MOBILITY IN SILICON [J].
LOGAN, RA ;
PETERS, AJ .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1960, 31 (01) :122-124
[12]   MILLIMETER CYCLOTRON RESONANCE IN SILICON [J].
RAUCH, CJ ;
STICKLER, JJ ;
ZEIGER, HJ ;
HELLER, GS .
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1960, 4 (02) :64-66
[13]   OBSERVATION BY CYCLOTRON RESONANCE OF THE EFFECT OF STRAIN ON GERMANIUM AND SILICON [J].
ROSEINNES, AC .
PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON, 1958, 72 (466) :514-522
12